JournalofEnergyChemistry具体的报道范围包括：国网(1)化石能源优化利用，国网(2)氢能，(3)电化学能转化与储存，(4)二氧化碳捕获、储存与化学利用，(5)能源材料和纳米技术，(6)生物质转化化学，(7)太阳能化学。

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S3-TB位错之间的相互作用可能导致在TB处形成可滑动位错，年第不可动位错或位错锁，以及/或相邻孪晶层的输出位错或层错，这取决于输入位错的性质。另外，次物资随着λ值的降低，加工硬化单调增加。配网可以看出具有非共格晶界(GBs)的纳米孪晶铜的屈服强度随孪晶厚度(λ)的变化与晶粒尺寸(d)的变化趋势相同。

对于晶界强化，协议研究最多的是大角晶界强化，而关于共格内界面强化的研究相对较少。库存梯度纳米结构独特的变形机制为优化金属材料的综合力学性能提供了潜力。

这些缺陷主要包括点缺陷、招标中标位错、各种晶界，相界、第二项粒子等。

电镜表征结果显示，采购合金的表层为纳米晶，随着深度的增加，晶粒尺寸逐渐增大。主持国家自然科学基金项目2项，候选国家973计划课题1项，国家863计划子项目3项，省部级重点项目2项，作为主要参与人完成国家和省部级项目10余项。

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该光电掺杂的详细机理阐述，电力请参考我们以前的工作：电力Wu,E.X.;Xie,Y.;Zhang,J.;Zhang,H.;Hu,X.D.;Liu,J.;Zhou,C.W.;Zhang,D.H.DynamicallycontrollablepolaritymodulationofMoTe2 field-effecttransistorsthroughultravioletlightandelectrostaticactivation.Sci.Adv.2019,5,eaav3430本文参考文献：Wu,E.,Xie,Y.,Wang,S.etal.Non-volatileprogrammablehomogeneouslateralMoTe2 junctionformulti-bitflashmemoryandhigh-performanceoptoelectronics.NanoRes.(2020).https://doi.org/10.1007/s12274-020-3041-0图文导读图1：器件结构及电学性能表征图2：MoTe2光电p和n掺杂电学性能表征及其原理示意图图3：MoTe2在p和n掺杂过程中形成的3-bitMoTe2闪存图4：可编程的MoTe2同质结：pn,np,pp和nn结通讯作者及团队介绍胡晓东天津大学教授。(3)利用光电掺杂的区域可控性，年第实现了可编程的MoTe2同质结，包括nn，pp，pn和np结。